工研院電光系統所_製程開發工程師(中後段記憶元件，M500)(含研發替代役)

【技術落地 × 客戶需求 × 記憶體元件製程整合，工作內容簡介如下】

1. 鐵電 / 電阻式記憶體元件製程整合（BEOL，0.18 μm）

• 負責 FeRAM / RRAM 元件之中後段製程整合
• 建立並優化 process window，兼顧元件效能、製程穩定度與可重現性
• 深度分析 in-line 與電性數據，將實驗結果轉化為可落地的製程方案

2. 客戶與產業合作專案技術對接

• 參與與實質產業（晶圓廠／IC 設計單位）之合作計畫
• 協助理解客戶規格、應用情境與製程限制，進行技術可行性評估
• 將元件特性與製程能力轉譯為可對外溝通的技術內容（spec / report / risk assessment）

3. ALD / PVD 製程模組與設備理解

• 支援 ALD 或 PVD 製程模組
• 深入理解設備狀態、製程參數與電性／結構量測結果間的關聯
• 透過實驗設計與資料比對，提升製程一致性與可靠度

4. 跨單位協作與問題解決

• 與製程、量測、分析、設計及外部合作夥伴進行技術討論

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加分條件（具備以下經驗者尤佳）

• 具 IV / CV / Pulse-IV 等電性量測與分析經驗
• 熟悉中後段 layout 概念，曾使用 Calibre / Laker / HSPICE
• 具 CP 測試經驗，曾撰寫或修改 Advantest 量測程式
• 理解 DRC / LVS / XRC 等 IC 設計驗證流程
• 具 RRAM / FeRAM / FeFET 相關研究或實務經驗
• 熟悉 TEM / FIB / SEM / XPS / EBSD / TKD 等分析技術，並能實際回饋改善製程

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職務特色

• 技術深度：需能理解元件和整合深度、製程機制與量測意義
• 客戶導向：技術成果需能回應客戶需求與規格限制
• 技術落地：研究結果需轉化為可執行、可驗證、可交付的製程方案
• 適合希望技術能實際影響產品、產線與合作夥伴決策的團隊夥伴

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我們期待這樣的您

• 對先進記憶體元件有技術熱情，也願意承擔專案責任
• 能在技術深度與實際限制之間做判斷與取捨
• 願意與客戶與合作夥伴溝通，將技術轉化為影響力