設計開発／パワーIC設計
Description
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■ この求人のポイント
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先進的なパワー半導体ベンチャー！グローバルな環境で裁量ある環境で次世代デバイス開発に挑戦。
当社は、2019年に設立された次世代パワーデバイスの設計を担うファブレス企業です。台湾の拠点や世界のファウンドリーと連携し、SiCやGaNなどの高性能なエコデバイスの研究開発をグローバルに推進しています。業界トップクラスの技術者たちが集う刺激的な環境で、これまでにない新しい半導体の製品化と量産化を加速させるため、新たな仲間を募集することとなりました。
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■ 仕事内容
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具体的には
主に、化合物半導体パワーデバイスの設計から開発まで、一連の業務をご担当いただきます。
▼具体的には以下の業務を行います
- デバイスの構造設計やシミュレーション
- 試作品の電気的および熱的な特性評価
- 顧客要求仕様に基づく製品スペックの設計
- TCADを活かしたデバイス性能の最適化
- 量産移管フェーズでのプロセス部門との連携や最適化サポート
※入社後は経験やご希望などに応じて、他ポジション（開発工程など）へ挑戦いただくことも可能です。
【雇い入れ直後】上記業務
【変更の範囲】会社の定める業務
グローバルで刺激的な開発環境
台湾拠点や海外工場との連携が発生するため語学力を活かせる環境です。英語に自信がない方も、入社後に学びながら手厚いフォローを受けられるためご安心ください。業界の熟練者が多数在籍しており、常に高いスキルに触れながら新しい技術の探求に取り組めます！
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■ 対象となる方
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【必須】
高専及び大卒以上 （理系学部出身）
パワー半導体デバイス特性・電気特性の知識
【歓迎要件】
SiC/GaN、またはシリコンパワーデバイス（MOSFET、SBDなど）の開発経験（1年以上）
TCAD（Synopsys、Silvaco等）の使用経験
現在、開発が進み、量産移管に向けた体制強化のため、人員を増員募集しております。
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■ 採用予定人数
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1名
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■ 勤務時間
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専門業務型裁量労働制
＜標準勤務時間帯＞
- 9:00～18:00／1日8時間のみなし労働
- 休憩時間：60分
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■ 勤務地
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本社勤務
京都府京都市西京区御陵大原1-39
京大桂ベンチャープラザ南館 2103号室・2203号室・2208号室
※転勤はありません。
【雇い入れ直後】上記事業所
【変更の範囲】変更なし
マイナビ転職の勤務地区分では…
京都府
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■ 交通アクセス
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マイカー通勤OK（敷地内駐車場無料）
【公共交通機関利用の場合】
- JR京都線「桂川」駅より「JR桂川駅前」バス停乗車後、
- 阪急京都線「桂」駅より「桂駅西口」バス停乗車後、
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■ 給与
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【年俸制500万円～700万円】
月額 416,666円～ + 諸手当
※年俸を1/12した額を毎月支給
※経験・能力・適性・前職給与などを考慮のうえ、
当社規定により優遇いたします
※試用期間3ヶ月あり（待遇に変動はありません）
※退職金制度はありません
初年度年収
500万円～700万円
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■ 昇給・賞与
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- 昇給：有
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■ 諸手当
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- 通勤手当：会社規定に基づき支給
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■ 休日・休暇
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年間休日124日
- 完全週休2日制（土日祝休み）
- 年間有給休暇：10日～20日
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■ 福利厚生
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- 各種社会保険完備
- 服装自由 （全従業員利用可）
- ストックオプション （全従業員利用可）
- 従業員専用駐車場あり （全従業員利用可）
- 受動喫煙対策：敷地内禁煙（屋外喫煙可能場所あり）
応募資格
【必須】
- 高専及び大卒以上 （理系学部出身）
- パワー半導体デバイス特性・電気特性の知識
【歓迎要件】
- SiC/GaN、またはシリコンパワーデバイス（MOSFET、SBDなど）の開発経験（1年以上）
- TCAD（Synopsys、Silvaco等）の使用経験
現在、開発が進み、量産移管に向けた体制強化のため、人員を増員募集しております。
勤務時間
専門業務型裁量労働制＜標準勤務時間帯＞
- 9:00～18:00／1日8時間のみなし労働
- 休憩時間：60分
福利厚生
- 各種社会保険完備
- 服装自由 （全従業員利用可）
- ストックオプション （全従業員利用可）
- 従業員専用駐車場あり （全従業員利用可）
- 受動喫煙対策：敷地内禁煙（屋外喫煙可能場所あり）